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解析!晶圓鍵合機三維集成電路關(guān)鍵技術(shù)

更新時間:2023-02-24  |  點擊率:1004
  晶圓鍵合機的晶圓級三維集成是一個新的概念,利用許多高級技術(shù)實現(xiàn)電路密度的增加和體積的縮小。下面介紹三項重要的關(guān)鍵技術(shù)。
 
  1、對準(zhǔn)和鍵合:
  對準(zhǔn)不精確導(dǎo)致電路故障或可靠性差。因此,對準(zhǔn)精度的高低主導(dǎo)了的晶片接觸面積和三維集成電路堆疊的成品率。對準(zhǔn)精度與對準(zhǔn)器和對準(zhǔn)標(biāo)記有關(guān)。也受操作員個人經(jīng)驗的影響。
 
  銅被廣泛用于標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造中。因此,銅是三維集成中連接兩個設(shè)備層或晶圓的較好的選擇。銅晶圓鍵合的原理是讓兩個晶片接觸然后熱壓縮。在鍵合過程中,兩個晶片的銅層可以相互擴散以完成鍵合過程。集成的質(zhì)量與晶圓表面的清潔度和鍵合時間有關(guān)。
 
  一般來說,溫度至少300~400℃才能完成銅鍵合。可以根據(jù)其界面的形態(tài)來確定鍵合質(zhì)量。為了獲得好的銅晶片鍵合的結(jié)果,條件是400℃加熱30分鐘,接著400℃氮氣環(huán)境退火30或60分鐘。雖然高溫和高壓可能會提高鍵合質(zhì)量,但相應(yīng)的成本和設(shè)備的損耗也成為需要關(guān)注的主要問題。因此,在較低的溫度和壓力下的鍵合方法是三維集成的主要目的。
  
  2、晶片減薄技術(shù):
  三維集成技術(shù)極大的增大集成電路密度的同時也帶來了散熱困難的問題。由于硅基板和金屬材料之間存在電阻,當(dāng)通過電流時,會有發(fā)熱效應(yīng)。而熱量不斷的產(chǎn)生會使芯片的背面產(chǎn)生一種內(nèi)應(yīng)力,而內(nèi)應(yīng)力較大時會使芯片直接破裂,加快了芯片的損壞速度。通過使用芯片減薄工藝,不僅可以有 效的降低集成電路的內(nèi)阻,優(yōu)化各芯片的散熱性能,還提高了電路的穩(wěn)定性的和縮小了芯片體積,更符合集成電路整體小型化的趨勢。
 
  3、硅基板穿孔技術(shù)(TSV):
  硅通孔的概念是由諾貝爾獎得主WilliamShockley最早提出來的,硅基板穿孔(TSV)在晶片與晶片之間、晶圓與晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實現(xiàn)晶片之間互聯(lián)的技術(shù)。該技術(shù)能夠使晶片在三維方向上堆疊的密度達(dá)到最大,因此不同基板的晶片通過硅基板穿孔技術(shù)進行立體堆棧整合后,不僅可縮短金屬導(dǎo)線的和聯(lián)機電阻,更能減小晶片的體積。
 
  ①先通孔工藝。先通孔工藝是在CMOS器件制作之前,在空白硅片上完成通孔制作和導(dǎo)電材料的填充。在這個方案中,填充材料不能是金屬,比如銅。此外,由于在這個階段還沒有金屬互連,先通孔工藝的縱寬比是小于后通孔工藝的。
 
  ②后通孔工藝。后通孔工藝是在BEOL完成后,在CMOS即將制作完成和但還未進行減薄工藝處理的硅片上預(yù)留的空白區(qū)進行鉆蝕通孔。該技術(shù)包括鉆孔和填充過程,為了不破壞設(shè)備和電路,應(yīng)在低于熱預(yù)算的溫度環(huán)境下制作。
 
  ③TSV工藝流程。整個硅基板穿孔過程可大致分為兩個部分:第一部分是通孔的蝕刻,第二部分填充通孔。硅基板穿孔的蝕刻難度取決于減薄后的晶圓的厚度。當(dāng)目標(biāo)蝕刻深度太深,通孔的開口尺寸通過需要相應(yīng)地擴大,這也導(dǎo)致晶片尺寸的增加。填充材料也是需要考慮的問題。銅、鎢和多晶硅是典型的硅基板穿孔填充材料的選擇。在這些材料中,銅和鎢的只能用在后通孔方案中,而多晶硅可用于先通孔和后通孔方案中。銅是一種工藝兼容材料,殘余應(yīng)力少,電子性能好,但難以填充高縱寬比的通孔。相反,鎢很容易填充到高寬比的通孔,但其殘余應(yīng)力高是一個很大的問題。多晶硅可用于硅基板穿孔的先通孔方案中,但它的電阻比金屬高。考慮到每種材料的優(yōu)點和缺點,硅基板穿孔填充材料的選擇對三維集成具有重要意義,特別是對于晶圓鍵合機的晶圓級三維集成。

 

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