掩模對準(zhǔn)光刻機是將二維圖案轉(zhuǎn)印到平坦基板上的方法。可以通過以下兩種基本方法之一實現(xiàn)圖案化：直接寫入圖案，或通過掩模版/印章轉(zhuǎn)移圖案。限定的圖案可以幫助限定襯底上的特征（例如蝕刻），或者可以由沉積的圖案形成特征。
通過計算機輔助設(shè)計（CAD）定義圖案模式。多數(shù)情況下，這些特征是使用抗蝕劑形成的，可以使用光（使用光致抗蝕劑），電子束（使用電子束抗蝕劑）或通過物理沖壓（不需要抗蝕劑，也叫納米壓印）來定義圖案特征。圖案的特征可以被轉(zhuǎn)移到另一個層蝕刻，電鍍或剝離。
掩模對準(zhǔn)光刻機的技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)所需的特征，有幾種不同的光刻方法。蕞常見的類型是光學(xué)光刻和電子束光刻。我們還提供軟和直接寫光刻。
下表比較了我們可用的一些常見光刻方法。批處理是指能夠一次對整個樣品進行圖案化的能力，例如通過光掩模或使用壓模的寫入方法描述了材料是如何形成圖案，例如通過UV光，電子束，或直接機械接觸。
掩模對準(zhǔn)光刻機的用料：
1、光刻膠：
抗蝕劑是懸浮在溶劑中的聚合物。根據(jù)抗蝕劑的類型，可以使用紫外線或電子束選擇性地將其除去。可以將所有抗蝕劑大致分為正抗蝕劑或負(fù)抗蝕劑，常見的是正抗蝕劑。在正性抗蝕劑中，在顯影抗蝕劑后將暴露的區(qū)域除去。在負(fù)性抗蝕劑中，在顯影抗蝕劑后仍保留了暴露的區(qū)域。
不同類型的光刻使用不同類型的抗蝕劑，因此您需要檢查哪種抗蝕劑適合您的工藝。
2、顯影劑：
顯影劑是用于在曝光后蝕刻掉光致抗蝕劑的基礎(chǔ)。幾種可用的顯影劑：AZ 726、AZ 300、AZ 400K、MF 319和Microposit Developer。可以在設(shè)備上使用顯影劑。需要檢查每個設(shè)備是否允許或允許哪些顯影劑。
3、掩模版：
掩模版用于在曝光期間阻擋光線，因此僅曝光所需圖案內(nèi)的光刻膠。如果在多個樣本中需要相同的模式，這將很有用。掩模是具有一層鉻和一層光刻膠的玻璃或熔融石英襯底。光刻膠以所需的圖案曝光，然后顯影。之后，使用鉻蝕刻在掩模中設(shè)置圖案。
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